发明名称 | 多晶硅薄膜电池片的生产工艺 | ||
摘要 | 一种多晶硅薄膜电池片的生产工艺,步骤如下:1)、制作石墨基片;2)、将提纯后的多晶硅投入石墨坩埚,加热至完全熔化;3)、使石墨基片的底面掠过熔融的多晶硅,并迅速脱离;4)、将石墨基片的底面朝上放置,冷却石墨基片上熔融的多晶硅,直至多晶硅完全凝固形成多晶硅薄膜电池板;5)、将多晶硅薄膜电池板由石墨基片上取下;6)、将多晶硅薄膜电池板切割形成多晶硅薄膜电池片。优点是:使用到的设备简单、造价低廉、故障率低、容易维护,整个生产过程操作简单,工人无需经过专业的培训即可上岗操作,每公斤硅料出片率高,生产成本低,生产效率高,生产环境好,无需抛光,产品的光电转化效率高。 | ||
申请公布号 | CN102646755A | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
申请号 | CN201210119571.8 | 申请日期 | 2012.04.23 |
申请人 | 锦州新世纪石英(集团)有限公司 | 发明人 | 张海霞;张海军;车永军;田鹏 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人 | 李辉 |
主权项 | 一种多晶硅薄膜电池片的生产工艺,其特征是:1)、制作石墨基片;2)、将提纯后的多晶硅投入石墨坩埚,加热至完全熔化;3)、使石墨基片的底面掠过熔融的多晶硅,并迅速脱离;4)、将石墨基片的底面朝上放置,冷却石墨基片上 直至多晶硅完全凝固形成多晶硅薄膜电池板;5)、将多晶硅薄膜电池板由石墨基片上取下;6)、将多晶硅薄膜电池板切割形成多晶硅薄膜电池片。 | ||
地址 | 121000 辽宁省锦州市经济技术开发区天王路 |