发明名称 |
一种多孔AlN/GaN薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种通过一种利用镀膜技术、合金薄膜陶瓷化技术和去合金法技术三者相结合的方法来制备多孔AlN或GaN薄膜的方法。首先制备Al或Ga的合金薄膜,并在高纯氮气或高纯氨气的气氛下,在700~1000℃之间某一温度保温氮化3~10h,制备出氮化合金薄膜,然后经过酸洗,使得氮化合金薄膜中的另外一种金属的氮化物溶解在酸中,最后经过水洗干燥制得多孔AlN/GaN薄膜。利用本发明提供的方法可以低成本、高产能的制备出的多孔AlN或GaN薄膜的孔径在100~500nm范围内,相邻孔壁厚在10nm~50nm范围内、孔的比表面积在60~100m2/g,孔占薄膜的体积比约50%。 |
申请公布号 |
CN102644050A |
申请公布日期 |
2012.08.22 |
申请号 |
CN201210111031.5 |
申请日期 |
2012.04.16 |
申请人 |
西安理工大学 |
发明人 |
颜国君 |
分类号 |
C23C14/14(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C8/24(2006.01)I;C23C8/80(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/14(2006.01)I |
代理机构 |
西安弘理专利事务所 61214 |
代理人 |
李娜 |
主权项 |
一种多孔AlN/GaN薄膜的制备方法,其特征在于,具体按以下步骤实施:步骤1,称取原料,按物质的量之比为3∶7~7∶3称取A组分和B组分,A组分为Al或Ga,B组分为Mg、Li或Ca中任一种,或任意两种或三种以任意比例的组合;步骤2,制备合金薄膜,将A组分与B组份同时向基片上沉积,制得合金薄膜;步骤3,合金薄膜氮化,把合金薄膜连同基片材料在真空气氛炉中,在氮气或氨气气氛中,以150~300℃/h的加热速度从室温加热到700℃~1000℃后,在700℃~1000℃的温度下保温氮化3h~10h,以获得合金氮化物薄膜;步骤4,酸洗,将氮化得到的合金氮化物薄膜连同基片冷却到室温后,浸泡到酸中1h~3h,使B组份的氮化物充分溶解到酸中,得到多孔薄膜;步骤5,清洗、干燥,把经酸洗得到的多孔薄膜浸泡以去除薄膜孔中的酸溶液,并进行干燥,即可。 |
地址 |
710048 陕西省西安市金花南路5号 |