| 发明名称 | 凸块和具有凸块的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及凸块和具有凸块的半导体器件。该凸块包括形成在结构体之上的金属柱以及形成为覆盖金属柱的侧表面的至少一部分的扩散阻挡构件。 | ||
| 申请公布号 | CN102646657A | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201210033503.X | 申请日期 | 2012.02.15 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 裵振浩;朴明根 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种凸块，包括：金属柱，形成在结构体之上；以及扩散阻挡构件，形成为覆盖该金属柱的侧表面的至少一部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||