| 发明名称 | 非对称读出放大器设计 | ||
| 摘要 | 一种电路，包括：第一反相器，包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；第二反相器，包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；第一节点，连接至第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的栅极以及第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极；第二节点，连接至第二PMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极以及第一PMOS晶体管的漏极和第一NMOS晶体管的漏极；第一电容器，具有第一电容，连接至第一节点；以及第二电容器，具有第二电容，连接至第二节点，其中，第二电容大于第一电容。本发明还提出了一种非对称读出放大器设计。 | ||
| 申请公布号 | CN102646440A | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201210033496.3 | 申请日期 | 2012.02.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴经纬;陈冠廷;李政宏 |
| 分类号 | G11C7/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种电路，包括：第一反相器，包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；第二反相器，包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；第一节点，连接至所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第一NMOS晶体管的栅极以及所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极；第二节点，连接至所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极以及所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第一NMOS晶体管的漏极；第一电容器，具有第一电容，连接至所述第一节点；以及第二电容器，具有第二电容，连接至所述第二节点，其中，所述第二电容大于所述第一电容。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||