多晶薄膜制备方法、多晶薄膜及由其制备的薄膜晶体管

摘要

本发明提出了一种多晶薄膜制备方法、多晶薄膜及由其制备的薄膜晶体管。该多晶薄膜包括衬底，热导体，晶种侧墙和多晶薄膜层。本发明在多晶薄膜的制备过程中采用热导体，能够实现晶种侧墙附近热量的优先散失，保证熔融态的非晶薄膜层在晶种侧墙处起始固化，有利于非晶薄膜层的固化结晶，减少成核的随机性，有效降低传统激光结晶工艺中对临界激光能量密度的敏感性。本发明的多晶薄膜提高了晶粒尺寸和迁移率，实现了晶粒位置的可控。本发明的薄膜晶体管采用具有大晶粒尺寸和高迁移率的多晶薄膜制成，具有高的迁移率，提高了器件性能。

主权项

一种多晶薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供衬底；S2：在所述衬底上形成热导体；S3：刻蚀所述热导体直至所述衬底暴露，形成热导体图案结构；S4：在所述热导体和所述衬底上形成晶种层；S5：刻蚀所述晶种层，在所述热导体侧壁上形成晶种侧墙；S6：在所述衬底、热导体和晶种侧墙上形成非晶薄膜层；S7：刻蚀所述非晶薄膜层；S8：对所述非晶薄膜层进行重结晶处理并形成多晶薄膜层。