| 发明名称 | 一种TFT及TFT的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种TFT的制造方法，用于改善TFT的漏电流，提高LDD掺杂精度，且制造方法简单，适用于大规模生产。所述方法为：对TFT除沟道区外的所有区域进行LDD掺杂；使TFT栅极金属的源极电极一侧及漏极电极一侧均形成金属膜；以所述金属膜为掩膜，对所述TFT源极及漏极注入第一离子。本发明还公开了用所述方法制造的TFT。 | ||
| 申请公布号 | CN102646593A | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201110125495.7 | 申请日期 | 2011.05.16 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 姜春生;王东方;龙春平;成军;刘政;石磊;梁逸南 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜场效应晶体管TFT的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：对TFT除沟道区外的所有区域进行轻掺杂漏区掺杂；使TFT栅极金属的源极电极一侧及漏极电极一侧均形成金属膜；以所述金属膜为掩膜，对所述TFT源极及漏极注入第一离子。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||