硅电容传声器的封装结构及其制造方法

摘要

本发明涉及硅电容传声器的封装结构及其制造方法。本发明的硅电容传声器的封装结构包括：基底，其具有一上表面，在该上表面上布置有硅电容传声器和电路单元，该基底在其中具有后腔室，该基底包括气孔，用于供空气通过用于布置硅电容传声器的上表面和后腔室之间；和壳体，其覆盖布置在基底的上表面上的硅电容传声器和电路单元，用于对它们进行保护。

主权项

一种硅电容传声器的封装结构，该封装结构包括：基底，其具有一上表面，在该上表面上布置有硅电容传声器和电路单元，该基底在其中具有后腔室，该后腔室形成在所述硅电容传声器和所述电路单元的下方，该基底包括气孔，用于供空气通过用于布置硅电容传声器的上表面和后腔室之间，通过结合第一室板、第二室板和第三室板而形成所述基底，所述第一室板形成所述基底的下表面，所述第二室板包括所述后腔室，所述第三室板包括所述气孔并形成所述上表面；和壳体，其覆盖布置在所述基底的上表面上的硅电容传声器和电路单元，用于对它们进行保护。