| 发明名称 | 锗硅薄膜制备方法以及半导体器件制作方法 | ||
| 摘要 | 一种锗硅薄膜制备方法以及半导体器件制作方法，所述锗硅薄膜制备方法包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极以及位于栅极两侧的补偿层；在所述补偿层远离所述栅极的一侧衬底中刻蚀形成凹槽；采用828摄氏度至850摄氏度的温度，对所述凹槽进行烘烤，接着，形成覆盖所述凹槽的锗硅层。本发明通过设置合适的烘烤温度以及烘烤时间，以获得具有良好形状的锗硅界面，提高了产品品质。 | ||
| 申请公布号 | CN102044419B | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN200910197453.7 | 申请日期 | 2009.10.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何有丰;胡亚兰 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种锗硅薄膜制备方法，其特征在于，至少包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极以及位于栅极两侧的补偿层；在所述补偿层远离所述栅极的一侧衬底中刻蚀形成凹槽；采用828摄氏度至850摄氏度的温度，对所述凹槽进行烘烤，接着，形成覆盖所述凹槽的锗硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||