| 摘要 |
本发明系提供一种可于短时间内去除二氧化矽粒子中之离子性高的杂质在精制效果上表现优异之处理方法与装置及精制二氧化矽粒子。;使二氧化矽粒子呈流动状态，于高温下使精制气体接触于流动状态之二氧化矽粒子后，去除二氧化矽粒子之成份之精制方法中，使流动状态之二氧化矽粒子位于磁场范围内，经由二氧化矽粒子之移动产生之电场，使呈对二氧化矽粒子外加电压之状态，与精制气体接触为其特征之二氧化矽粒子之精制方法，较佳者系使流动状态之二氧化矽粒子位于10高斯以上之磁场范围内，于1000℃以上之温度下与精制气体接触之二氧化矽粒子之精制方法。 |
