非挥发性记忆体及预测程式化之方法

摘要

在具有记忆体单元之一阵列之非挥发性记忆体中，其中记忆体单元可个别地程式化至一范围之临限电压位准中之一者，提供一预测程式化模式，其中预定函数预测需施加何程式化电压位准以将给定记忆体单元程式化为给定目标临限电压位准。以此方式，无需执行验证操作，藉此大幅改良程式化操作之效能。在较佳实施例中，预定函数为线性的，且对于在程式化中之每一记忆体单元藉由一或多个检查点受到校正。检查点为将讨论中之记忆体单元程式化至经验证之指定临限电压位准的实际程式化电压。