发明名称 离子植入装置
摘要 离子植入装置10系具有:射束整形部20,具备产生离子束的离子源22,且整形成带状离子束;处理部60,将带状离子束照射在处理基板62;以及射束输送部30,具备将带状离子束之射束厚度方向中的电流密度合计值以射束宽度方向的分布予以表示的电流密度分布进行调整的透镜要素40,在将带状离子束的厚度方向的厚度减薄而使其收敛后,照射在处理基板62。透镜要素40系在离子束的收敛位置52附近的区域,以调整离子束的电流密度分布的方式设置有透镜要素40。藉此,可将带状离子束的一部分在带状离子束的面内弯曲成较小而精度佳地调整电流密度分布。
申请公布号 TWI371055 申请公布日期 2012.08.21
申请号 TW097111420 申请日期 2008.03.28
申请人 三井造船股份有限公司 日本 发明人 辻康之
分类号 H01J37/317;H01L21/265 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本