铟靶及其制造方法

摘要

提供一种可抑制异常放电之产生同时可维持高溅镀速率之铟靶及其制造方法。根据本发明，提供如下之铟靶：靶表面之平均结晶粒径为10mm以下，自平行于压延方向之剖面观察到的晶粒，垂直于压延方向之方向的平均粒径相对于平行于压延方向之方向的平均粒径之比为0.1以上、未达0.7，且孔径50μm以上之空孔为1个/cm3以下。该铟靶可藉由在熔解铸造铟原料后进行冷轧来制造。