发明名称 单向金属氧化物半导体场效应电晶体及其应用
摘要 由于在饱和模式下双向导通之特性,知电力转换器中之同步整流器通常苦于在轻载下之逆向电流或在重载下之击穿电流。该逆向电流可能降低转换器效率且该击穿电流可能损坏同步整流器。本发明揭示一种单向金属氧化物半导体场效应电晶体,其包含一金属氧化物半导体场效应电晶体、一电流侦测电路与一快速关闭电路。该电流侦测电路侦测流经该金属氧化物半导体场效应电晶体电流之方向。当一顺向电流被侦测,该快速关闭电路被除能且该金属氧化物半导体场效应电晶体之通道可被形成。当一逆向电流被侦测,该快速关闭电路被致能且该金属氧化物半导体场效应电晶体之通道无法被形成。此单向金属氧化物半导体场效应电晶体可被但不受限于应用在同步整流器以有效抑制该逆向电流或该击穿电流至一极小值。
申请公布号 TWI371163 申请公布日期 2012.08.21
申请号 TW097135084 申请日期 2008.09.12
申请人 洋鑫科技股份有限公司 新北市中和区中山路2段352号9楼;王志良 新北市中和区中山路2段352号9楼 发明人 王志良;余金生;翁博泰
分类号 H03K17/16;H03K17/0424 主分类号 H03K17/16
代理机构 代理人 蔡朝安 新竹市科学工业园区力行一路1号E之1;郑淑芬 新竹市科学园区力行一路1号E之1
主权项
地址 新北市中和区中山路2段352号9楼