| 摘要 |
<p>본 발명은 금속배선 연결을 위한 콘택홀의 오픈여부를 정확하게 판단할 수 있는 반도체소자의 콘택홀 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 콘택홀 형성 방법은 반도체기판 상부에 배선층을 형성하는 단계, 상기 배선층 상부에 층간 절연을 위한 제1절연막을 형성하는 단계, 상기 제1절연막 상에 식각배리어막을 형성하는 단계, 상기 식각배리어막 상에 제2절연막을 형성하는 단계, 상기 제2절연막, 식각배리어막 및 제1절연막을 선택적으로 식각하여 상기 배선층의 표면을 오픈시키는 콘택홀을 형성하는 단계, 및 상기 콘택홀에 대해 추가로 식각을 진행하여 상기 콘택홀의 오픈폭을 넓혀주는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명은 콘택홀 형성후 추가로 콘택홀의 CD를 넓혀주기 위한 공정을 진행하므로써 콘택홀의 바텀부분이 오픈되었는지의 여부를 정확하게 판단할 수 있어 콘택홀을 위한 베이스레시피(Base recipe)를 셋업하는데 매우 유용하게 사용될 수 있는 효과가 있다.</p> |
