发明名称 METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMANCE ENHANCEMENT IN AN ASYMMETRICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>반도체 소자에서 성능 향상을 제공하는 방법 및 장치가 개시된다. 일 실시예에서, 제1 전류 영역(64, 76, 23), 채널 영역, 및 제2 전류 영역(75, 33, 66)이 서로 인접한다. 제2 전류 영역(75, 33, 66)은 제1 전류 영역(64, 76, 23)의 제1 성분의 내용물보다 더 많은 합금의 제1 성분의 내용물을 갖고, 제2 전류 영역(75, 33, 66)은 채널 영역의 제1 성분의 내용물보다 더 많은 제1 성분의 내용물을 갖고, 합금은 제2 성분을 더 포함하고, 제1 성분은 제1 원자가를 갖고, 제2 성분은 제2 원자가를 갖는다. 더욱이, 제1 원자가와 제2 원자가의 합은 8이다.</p>
申请公布号 KR101174994(B1) 申请公布日期 2012.08.17
申请号 KR20077004356 申请日期 2005.07.15
申请人 发明人
分类号 H01L29/76;H01L29/78 主分类号 H01L29/76
代理机构 代理人
主权项
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