Bildsensor-Pixelstruktur, bei welcher eine gemeinsame schwebende Diffusionszone verwendet wird

摘要

Eine Pixelstruktur für einen Bildsensor umfasst einen Halbleitermaterialabschnitt (30), welcher eine planare und zusammenhängende Halbleiterfläche aufweist und vier Photodioden (30A, 30B, 30C, 30D), vier Kanalzonen (31A, 31B, 31C, 31D) und eine gemeinsame schwebende Diffusionszone (32) umfasst. Jede der vier Kanalzonen grenzt direkt an eine der vier Photodioden und die gemeinsame schwebende Diffusionszone an. Die vier Photodioden sind in vier verschiedenen Quadranten (1Q_O1, 2Q_O1, 3Q_O1, 4Q_O1) angeordnet, die dadurch definiert werden, dass eine vertikale Linie, die durch einen Punkt (O1) innerhalb der gemeinsamen schwebenden Diffusionszone führt, als Mittelachse verwendet wird. Die gemeinsame schwebende Diffusionszone, ein Rücksetz-Gate-Transistor (RG), ein Source-Folger-Transistor (SF) und ein Zeilenauswahltransistor (RS) sind in vier verschiedenen Quadranten (1Q_O2, 2Q_O2, 3Q_O2, 4Q_O2) angeordnet, die dadurch definiert werden, dass eine vertikale Linie, die durch einen Punkt (O2) innerhalb einer der Photodioden (30A) führt, als Achse verwendet wird.