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Die Erfindung betrifft Trench-Schottkydiode, welche ein hochdotiertes Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine auf das Substrat aufgebrachte Epischicht desselben Leitfähigkeitstyps aufweist. In die Epischicht sind mindestens zwei Gräben eingebracht. Die Epischicht ist eine Stufen-Epischicht, die zwei Teilschichten unterschiedlicher Dotierungskonzentration aufweist. |
