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Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung weist die folgenden Schritte auf: Ausbilden eines Isolationsfilms (34) auf einer Oberfläche einer Halbleiterschicht (32); Ausbilden eines Photolacks (36a) auf einer Oberfläche des Isolationsfilms (34), wobei der Photolack (36a) eine Öffnung aufweist; Ausbilden einer gehärteten Schicht (38a, 38b) auf einem inneren Umfang des Photolacks (36a) durch Aufbringen eines Strukturschrumpfmittels auf den Photolack (36a), wobei das Strukturschrumpfmittel eine Querverbindungsreaktion mit dem Photolack (36a) eingeht; Ätzen des Isolationsfilms (34) unter Verwendung des Photolacks (36a) und der gehärteten Schicht (38a, 38b) als Masken; Entfernen der gehärteten Schicht (38a, 38b) und Ausbilden einer Metallschicht (40) auf einer Oberfläche der Halbleiterschicht (32), auf einer Oberfläche des Isolationsfilms (34) und auf einer Oberfläche des Photolacks (36a). Das Verfahren umfasst weiter einen Schritt des Entfernens des Photolacks (36a) und des Abschnitts der Metallschicht (40) auf der Oberfläche des Photolacks (36a) durch eine Abhebetechnik. |
