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Verfahren zur Abscheidung von Silizium auf einem Substrat in einer Plasmakammer mit den Schritten: a) der Plasmakammer wird ein reaktives, siliziumhaltiges Gas und Wasserstoff vorgelegt, b) ein Plasma wird gestartet, c) nach dem Plasmastart wird der Plasmakammer kontinuierlich ausschließlich reaktives, siliziumhaltiges Gas zugeführt, und gleichzeitig das in der Kammer vorliegende Gasgemisch wenigstens teilweise aus der Kammer abgeleitet, d) wobei der in die Plasmakammer eingeleitete Gesamtfluss an Gasen, bezogen auf die zu beschichtende Fläche des Substrates [100 cm2] in Relation zu der Beschichtungsgeschwindigkeit [nm/s] einen Wert von 1 [cm3·s/cm2·nm·min bei Standardbedingungen], insbesondere von 0,6 [cm3·s/cm2·nm·min bei Standardbedingungen] nicht überschreitet, e) in Anwesenheit von Wasserstoff wird homogen mikrokristallines Silizium auf dem Substrat abgeschieden
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