| 摘要 |
본 발명은 TCO층을 이용한 태양전지의 전극 형성방법 및 그 태양전지에 관한 것이다. 본 발명은 우선 소정 불순물이 도핑된 실리콘 웨이퍼(100)의 표면에 반사 방지막(110)을 형성하고, 후속공정에서 형성할 전극 패턴에 따라 상기 반사 방지막(110)의 일부를 레이저 또는 에칭 페이스트 또는 잉크를 이용하여 제거한다. 그런 다음, 상기 반사 방지막(110)이 제거된 영역(A)에 투명전도막(TCO)(120)층을 수십 나노 두께로 박막 형성한다. 이때 투명전도막(120)은 반사 방지막이 제거된 영역(A) 이외에 나머지 반사 방지막의 표면에도 형성할 수 있다. 이후, 상기 형성된 TCO층(120) 위에 금속전극(130)을 형성한다. 상기 금속전극(130)은 상기 반사 방지막(110)을 관통하는 관통 물질인 글래스 프릿(glass frit)을 포함하지 않은 저온/저저항 특성을 나타내는 금속 페이스트 또는 잉크가 사용되고, 따라서 300 ~ 400℃의 소성 온도에서 금속전극의 형성이 가능하다. 이와 같은 본 발명에 따르면, 투명전도막으로 인해 실리콘 웨이퍼와 금속전극의 부착력 및 전자 수집률이 향상되며, 실리콘 웨이퍼 내부로 금속성분이 침투되는 것이 방지되고, 저온에서의 소성 공정이 가능하여 공정비용이 절감되는 이점이 있다. |
