Heterostruktur-Pufferschicht für Heterostruktur-Feldeffekttransistoren

摘要

Die Erfindung betrifft einen Heterostruktur-Feldeffekttransistor (HFET) mit einem Substrat (201), einer auf dem Substrat (201) angeordneten Nukleationsschicht (202), einer auf der Nukleationsschicht (202) angeordneten kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203), einer auf der kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203) angeordneten ersten AlGaN-Schicht (204) und auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Source-Elektrode (205), einer auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Drain-Elektrode (206) und einer zwischen der Source-Elektrode (205) und der Drain-Elektrode (206) auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Gate-Elektrode (207). Erfindungsgemäß ist zwischen der kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203) und der ersten AlGaN-Schicht (204) eine unintentionally-doped GaN-Schicht vorgesehen. Ein zweiter Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines solchen HFETs.