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<p>마이크로전자 디바이스를 위한 두꺼운 다층 금속배선 구조물은 제 1 배리어층(111), 제 1 배리어 층 위의 제 1 금속층(112), 상기 제 1 금속층 위의 제 1 패시베이션층(113), 상기 제 1 패시베이션층을 관통하는 비아 구조(114), 상기 제 1 패시베이션층 위에 그리고 상기 비아 구조 내에 형성되는 제 2 배리어층(115), 상기 제 2 배리어 층 위의 제 2 금속층(116), 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 패시베이션층 위의 제 2 패시베이션층(117)을 포함한다.</p> |
