Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen eines Trägers (1) und Aufbringen einer Mehrzahl von in lateraler Richtung (L) beabstandet zueinander angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips (2) an einer Oberseite (12) des Trägers (1); c) Aufbringen zumindest einer reflektierenden Umhüllung (3) auf freiliegende Stellen des Trägers (1) und Seitenflächen (24) der optoelektronischen Halbleiterchips (2); d) Einbringen von Öffnungen (5) in die reflektierende Umhüllung (3), welche die reflektierende Umhüllung (3) vollständig durchdringen; e) Anordnen von elektrisch leitfähigem Material (8) auf der reflektierenden Umhüllung (3) und zumindest stellenweise in den Öffnungen (5), wobei — Strahlungsdurchtrittsflächen (25) der optoelektronischen Halbleiterchips (2) frei von der reflektierenden Umhüllung (3) sind, und — die reflektierende Umhüllung (3) die optoelektronischen Halbleiterchips (2) seitlich nicht überragt.