Schalter in integrierten Schaltkreisen, Entwicklungsstruktur und Herstellungsverfahren

摘要

Integrierte MEMS-Schalter, Entwicklungsstrukturen und Verfahren zum Herstellen solcher Schalter werden bereitgestellt. Zu dem Verfahren gehört das Bilden wenigstens eines Vorsprungs (32a) von Opfermaterial (36) auf einer Seite einer Schalteinheit (34), die von dem Opfermaterial umgeben ist. Das Verfahren enthält ferner das Entfernen des Opfermaterials durch wenigstens eine Öffnung (40), die auf delteinheit gebildet wird, und das Verschließen der wenigstens einen Öffnung mit einem Deckmaterial (42).