Herstellung einer Kanalhalbleiterlegierung durch Abscheiden einer Hartmaske für das selektive epitaktische Aufwachsen

摘要

Verfahren mit: Bilden einer Maskenschicht auf einem ersten aktiven Gebiet und einem zweiten aktiven Gebiet eines Halbleiterbauelements durch Ausführen eines Abscheideprozesses; Ausführen einer Behandlung an der Maskenschicht, um zumindest eine Materialeigenschaft der Maskenschicht einzustellen, durch Einbauen einer Sorte in die Maskenschicht auf der Grundlage einer Plasmaumgebung oder durch Oxidieren zumindest einer Oberflächenschicht der Maskenschicht; Entfernen der Maskenschicht selektiv von dem ersten aktiven Gebiet; Bilden einer Schicht aus einer Halbleiterlegierung auf dem ersten aktiven Gebiet und Verwenden der Maskenschicht auf dem zweiten aktiven Gebiet als eine Aufwachsmaske; Entfernen der Maskenschicht von dem zweiten aktiven Gebiet; und Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur eines ersten Transistors auf der Schicht aus Halbleiterlegierung und einer zweiten Gateelektrodenstruktur eines zweiten Transistors auf dem zweiten aktiven Gebiet, wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur ein metallenthaltendes Gateelektrodenmaterial und eine Gateisolationsschicht mit einem dielektrischen Material mit großemεaufweisen.