HALBLEITERLASERELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR

摘要

Ein Halbleiterlaserelement ist ausgestattet mit einer ersten und zweiten Elektrode, einem ersten und zweiten Reflexionsspiegel und einem Resonator, der zwischen dem ersten und zweiten Reflexionsspiegel angeordnet ist, und ist mit einer aktiven Schicht, einer Strombegrenzungsschicht mit einem ersten Bereich, in dem ein Strom fließt, und einem zweiten Bereich, in dem ein Stromfluss blockiert wird, einer ersten Halbleiterschicht, die auf der auf der Strombegrenzungsschicht auf der der aktiven Schicht entgegengesetzten Seite ausgebildet ist, und einer zweiten Halbleiterschicht versehen, die zwischen der ersten Halbleiterschicht und der Strombegrenzungsschicht ausgebildet ist. Die erste Halbleiterschicht hat auf der der Strombegrenzungsschicht entgegengesetzten Seite eine Fläche und ist mit einer ersten Zone, die dem ersten Bereich der Strombegrenzungsschicht zugewandt ist, und einer zweiten Zone versehen, die dem zweiten Bereich der Strombegrenzungsschicht zugewandt ist. Eine erste Elektrode ist in Kontakt mit zumindest einem Teil der einen Fläche der zweiten Zone der ersten Halbleiterschicht vorgesehen, und die erste Halbleiterschicht besitzt einen Diffusionsbereich, in dem die Komponente der ersten Elektrode oder zumindest ein Teil der Komponenten der ersten Elektrode in die erste Halbleiterschicht diffundiert. Die zweite Halbleiterschicht hat eine höhere Dotierungskonzentration als die erste Halbleiterschicht, ist in Kontakt mit dem Diffusionsbereich der ersten Halbleiterschicht und erstreckt sich von dem Bereich, in dem die zweite Halbleiterschicht mit dem Diffusionsbereich in Kontakt ist, zu der Position, an der die zweite Halbleiterschicht dem ersten Bereich der Strombegrenzungsschicht zugewandt ist.