| 发明名称 | 一种低压化学气相淀积装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种化学气相淀积(LPCVD)装置，属于半导体薄膜制备技术领域。该LPCVD的反应炉的炉口部分处和炉尾部分处均设置有反应气体输入管路。该LPCVD装置制备的同批次晶圆的薄膜的一致性好，特别是晶粒尺寸一致性好，同时生产效率高、生产成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN202380075U | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201120447480.8 | 申请日期 | 2011.11.04 |
| 申请人 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 发明人 | 王训辉;吴啸;过奇钧;范建超 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 唐立;王忠忠 |
| 主权项 | 一种低压化学气相淀积装置，包括反应炉，所述反应炉包括炉口部分和炉尾部分，所述炉口部分和炉尾部分之间用于置放多片晶圆，其特征在于，在所述炉口部分处和炉尾部分处均设置有反应气体输入管路。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座2楼 | ||