发明名称 |
静电保护器件 |
摘要 |
公开了一种包含静电放电(ESD)保护器件的装置。ESD保护器件包括具有用于形成双极器件的第一区域(270)、由第一区域(270)横向包围的第二区域(120)以及由第二区域(120)横向包围的第三区域(130)的半导体。第一区域(270)以第一导电类型的第一杂质来掺杂并且与以与第一类型相反的第二导电类型的第二杂质掺杂的第二区域(120)隔开。区域的尺寸约束限定了ESD保护器件的操作阈值。在一个实例中,在第一区域(270)与第二区域(120)之间的间隔限定了触发电压以促使ESD保护器件变为导电的。在另一个实例中,第二区域(120)的宽度(310)控制着ESD保护器件的保持电压。 |
申请公布号 |
CN102640288A |
申请公布日期 |
2012.08.15 |
申请号 |
CN201080049940.X |
申请日期 |
2010.10.04 |
申请人 |
美国亚德诺半导体公司 |
发明人 |
E·J·考尼;P·M·迈克古尼斯;P·M·达利;B·P·斯坦森;D·J·克拉克;A·D·贝因;W·A·拉尼 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/735(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
申发振 |
主权项 |
一种包含静电放电保护器件的装置,所述静电放电保护器件包括:具有布置用于形成晶体管的第一、第二及第三区域的半导体,其中所述第一区域以第一导电类型的第一杂质来掺杂并且与所述第二区域隔开,所述第二区域以与所述第一类型相反的第二导电类型的第二杂质掺杂,并且其中使所述静电放电保护器件被适配为使下列中的至少一种适用:在所述第一和第二区域之间的间隔限定了触发电压以促使所述静电放电保护器件变为导电的;以及所述第二区域的空间参数控制所述静电放电保护器件的保持电压。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |