发明名称 | 加强的梯度线圈 | ||
摘要 | 本发明涉及加强的梯度线圈。本发明提供一种在磁共振成像中使用的圆柱形超导磁体系统。轴向对准的初级超导线圈(30)位于外部真空腔室(OVC)(14)内。热辐射屏蔽(16)在OVC内围绕初级超导线圈。梯度线圈组件与初级超导线圈轴向对准并且被径向定位在初级超导线圈之内。所述圆柱形超导磁体系统还包括机械支撑组件(24),其径向地位于初级超导线圈的外部并且机械附着(26)到梯度线圈组件。 | ||
申请公布号 | CN102636765A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
申请号 | CN201210027151.7 | 申请日期 | 2012.02.08 |
申请人 | 英国西门子公司 | 发明人 | S.J.卡尔弗特 |
分类号 | G01R33/385(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/385(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;李家麟 |
主权项 | 一种在磁共振成像中使用的圆柱形超导磁体系统,包括:轴向对准的初级超导线圈(30),其被定位在外部真空腔室(OVC)(14)内;围绕初级超导线圈的热辐射屏蔽(16),其处在OVC内;与初级超导线圈轴向对准并且被径向地定位在初级超导线圈之内的梯度线圈组件(22),其中,所述圆柱形超导磁体系统还包括机械支撑组件(24),其径向地位于初级超导线圈的外部并且机械附着(26)到梯度线圈组件,其特征在于,所述机械支撑组件通过机械附着件(26)而机械附着到梯度线圈组件,所述机械附着件(26)穿过经过OVC和热辐射屏蔽的通孔。 | ||
地址 | 英国坎伯利 |