| 发明名称 | 闪存的存储单元及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种闪存的存储单元及其形成方法，其中，所述闪存的存储单元包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的绝缘层；位于所述绝缘层表面的浮栅层；位于所述半导体衬底表面且贯穿所述浮栅层和绝缘层的源线层，且所述源线层覆盖所述浮栅层，所述源线层与浮栅层电隔离；位于所述浮栅层和源线层两侧，以及绝缘层表面的控制栅层，且所述控制栅层与源线层和浮栅层电隔离；位于所述控制栅层、源线层和半导体衬底表面的应力层。所述闪存的存储单元运用应力效应能够提高数据的编程效率与读取效率，提高数据的保持力与耐久力，并能够使闪存的存储单元的尺寸进一步缩小。 | ||
| 申请公布号 | CN102637696A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210124977.5 | 申请日期 | 2012.04.25 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 于涛;胡勇;李冰寒 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种闪存的存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的绝缘层；位于所述绝缘层表面的浮栅层；位于所述半导体衬底表面且贯穿所述浮栅层和绝缘层的源线层，且所述源线层覆盖所述浮栅层，所述源线层与浮栅层电隔离；位于所述浮栅层和源线层两侧，以及绝缘层表面的控制栅层，且所述控制栅层与源线层和浮栅层电隔离；位于所述控制栅层、源线层和半导体衬底表面的应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||