发明名称 图像传感器
摘要 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种图像传感器。本发明中,在感光结构的下方,设置有一反射结构,在耗尽层不够厚的情况下,在耗尽层底部实现对入射光的反射,增加入射光在耗尽层中传输的光程,从而能够在保证器件响应速度的同时,提高量子效率。反射结构的表面积大于等于感光结构的表面积,可以更好地实现对入射光的反射,提高量子效率。通过选择合适的介质材料、介质厚度以及周期等参数,可以实现对特定波长范围内的入射光起到较高效率的反射甚至全反射作用。
申请公布号 CN102637715A 申请公布日期 2012.08.15
申请号 CN201210150593.0 申请日期 2012.05.07
申请人 上海中科高等研究院 发明人 方娜;陈杰;汪辉;苗田乐;李国宏
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 上海一平知识产权代理有限公司 31266 代理人 成春荣;竺云
主权项 一种图像传感器,其中包括将入射光转变为电信号的感光结构,其特征在于,在所述感光结构的背面存在一个反射结构,用于将从该感光结构正面入射并穿透该感光结构的光反射回该感光结构。
地址 201210 上海市浦东新区海科路99号