| 发明名称 | 一种栅极补偿隔离区刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种栅极补偿隔离区刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构、覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底的氧化层；进行第一刻蚀过程，所述第一刻蚀过程刻蚀所述氧化层，直到光学发生干涉仪确定刻蚀终点，即被刻蚀的所述氧化层达到预定厚度；进行第二刻蚀过程，所述第二刻蚀过程去除所述栅极结构顶部和半导体衬底上空旷区的氧化层，保留所述栅极结构侧壁的氧化层，形成栅极补偿隔离区。 | ||
| 申请公布号 | CN102637588A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210138191.9 | 申请日期 | 2012.05.04 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 杨渝书;李程;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种栅极补偿隔离区刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构、覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底的氧化层；进行第一刻蚀过程，所述第一刻蚀过程刻蚀所述氧化层，直到光学发生干涉仪确定刻蚀终点，即被刻蚀的所述氧化层达到预定厚度；进行第二刻蚀过程，所述第二刻蚀过程去除所述栅极结构顶部和半导体衬底上空旷区的氧化层，保留所述栅极结构侧壁的氧化层，形成栅极补偿隔离区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||