| 发明名称 | 带有纳米结构体的发光二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管(LED)及其制备方法。该LED包括：导电n型区(2)，所述导电n型区(2)形成在基板(1)上；有源区(3)，所述有源区(3)形成在所述n型区(2)上；第一p型区(4)，所述第一p型区(4)形成在所述有源区(3)上；多个纳米结构体(5)，所述多个纳米结构体(5)形成在所述第一p型区(4)上以进行从所述有源区(3)的光提取，所述纳米结构体(5)具有小于500nm的直径；第二p型区(6)，所述第二p型区(6)再生长在所述第一p型区(4)上以形成与所述纳米结构体(5)结合的非平面表面；以及p型电极(7)，所述p型电极(7)形成在所述非平面表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN102637800A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210026196.2 | 申请日期 | 2012.02.07 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 陈伟新;阿利斯代尔·保罗·科德;瓦莱里·贝里曼-博斯奎特 |
| 分类号 | H01L33/38(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种发光二极管(LED)，所述发光二极管(LED)包括：导电n型区，所述导电n型区形成在基板上；有源区，所述有源区形成在所述n型区上；第一p型区，所述第一p型区形成在所述有源区上；多个纳米结构体，所述多个纳米结构体形成在所述第一p型区上以进行从所述有源区的光提取，所述纳米结构体具有小于500nm的直径；第二p型区，所述第二p型区再生长在所述第一p型区上以形成与所述纳米结构体结合的非平面表面；以及p型电极，所述p型电极形成在所述非平面表面上。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||