| 发明名称 | SRAM存储器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种SRAM存储器及其形成方法。所述SRAM存储器包括：包含多个存储单元的存储单元阵列，每个存储单元包括至少一个下拉NMOS晶体管、一个传输NMOS晶体管和一个上拉PMOS晶体管；所述下拉NMOS晶体管和上拉PMOS晶体管的表面形成有一层拉应力层。所述方法包括：形成包含多个存储单元的存储单元阵列，每个存储单元包括至少一个下拉NMOS晶体管、一个传输NMOS晶体管和一个上拉PMOS晶体管；形成覆盖所述下拉NMOS晶体管和上拉PMOS晶体管表面的拉应力层。本发明SRAM存储器及其形成方法不仅提高了其读取裕度和写入裕度，而且还简化了制程，降低了工艺复杂程度。 | ||
| 申请公布号 | CN102637690A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210122551.6 | 申请日期 | 2012.04.24 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡剑 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种SRAM存储器，包括：包含多个存储单元的存储单元阵列，每个存储单元包括至少一个下拉NMOS晶体管、一个传输NMOS晶体管和一个上拉PMOS晶体管；其特征在于，所述下拉NMOS晶体管和上拉PMOS晶体管的表面形成有一层拉应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||