外延硅芯片的制造方法

摘要

本发明是一种外延硅芯片的制造方法，其进行成膜工序及冷却工序；所述成膜工序，是一边供给原料气体，一边于氢气气氛中使单晶硅薄膜在单晶硅基板上气相成长；所述冷却工序，是先算出在单晶硅薄膜中所存在的评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值与评价对象不纯物的固溶临界浓度一致时的温度，并在算出温度的至少上下50℃的温度范围内，将外延硅芯片的成膜后的冷却速度设为小于20℃/sec，来冷却已通过成膜工序形成单晶硅薄膜后的外延硅芯片。藉此，能提供一种外延硅芯片的制造方法，其能得到一种外延硅芯片，在该外延硅芯片所含有的重金属不纯物，特别是器件有源层也就是单晶硅薄膜的表层区域的不纯物浓度比先前低，且具有优良的器件特性。

主权项

一种外延硅芯片的制造方法，是制造外延硅芯片的方法，其特征在于进行成膜工序及冷却工序；所述成膜工序，是一边供给原料气体，一边于氢气气氛中使单晶硅薄膜在单晶硅基板上气相成长；所述冷却工序，是先算出在前述单晶硅薄膜中所存在的评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值与前述评价对象不纯物的固相临界浓度一致时的温度，并在算出温度的至少上下50℃的温度范围内，将前述外延硅芯片的成膜后的冷却速度设为小于20℃/sec，来冷却已通过该成膜工序形成前述单晶硅薄膜后的外延硅芯片。