发明名称 |
以ITO∕ZnO基复合膜为p电极的LED电极制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种以ITO∕ZnO基复合膜为p电极的LED电极制作方法,包括:1)清洗基片;2)在基片上沉积ITO导电膜;3)对ITO导电膜光刻,形成n电极区域和ITO导电膜覆盖的p电极区域,所述的ITO导电膜覆盖的面积略大于p电极区域;4)在n电极区域和p电极区域上沉积ZnO基导电膜;5)对ZnO基导电膜光刻,去掉n电极区域的ZnO膜,在p电极区域上形成ITO/ZnO基复合膜;6)在n电极区域上刻蚀台阶;7)在n电极区域的台阶和ITO/ZnO基复合膜上依次沉积电极金属和钝化层,所述的钝化层覆盖在电极金属之上;8)刻蚀去除电极金属上的钝化层,制得以ITO/ZnO基复合膜为p电极的LED电极。本发明的方法工艺效果良好,产品可靠性高,制备过程简单,易于推广应用。 |
申请公布号 |
CN102637786A |
申请公布日期 |
2012.08.15 |
申请号 |
CN201210119604.9 |
申请日期 |
2012.04.21 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
吕建国;陈丹;叶志镇 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 |
代理人 |
刘晓春 |
主权项 |
以ITO/ZnO基复合膜为p电极的LED电极制作方法,其特征在于包括如下步骤:1) 清洗基片(1);2) 在基片(1)上沉积ITO导电膜(2);3) 对ITO导电膜(2)光刻,形成n电极区域(7)和ITO导电膜覆盖的p电极区域(6),所述的 ITO导电膜覆盖的面积略大于p电极区域(6);4) 在n电极区域(7)和p电极区域(6)上沉积ZnO基导电膜(3);5) 对ZnO基导电膜(3)光刻,去掉n电极区域(7)的ZnO膜,在p电极区域(6)上形成ITO/ZnO基复合膜;6) 在n电极区域(7)上刻蚀台阶;7) 在n电极区域(7)的台阶和ITO/ZnO基复合膜上依次沉积电极金属(4)和钝化层(5),所述的钝化层(5)覆盖在电极金属(4)之上;8) 刻蚀去除电极金属(4)上的钝化层(5),制得以ITO/ZnO基复合膜为p电极的LED电极。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市浙大路38号 |