发明名称 照射设备、半导体制造设备与方法和显示装置制造方法
摘要 本发明涉及一种照射设备,半导体装置制造设备与方法以及显示装置制造方法。该照射设备用于使用从半导体激光器发射的光束照射照射目标,其中令w为用于照射照射目标的光束半径,Δ为半导体激光器发散角度的个体差异率,而λ为半导体激光器的光束波长,夹置在半导体激光器与照射目标之间的照射光学系统的焦点位置被散焦,使得焦点位置和照射目标之间的距离z为[公式1]<img file="b200810097038xa00011.GIF" wi="1028" he="269" />
申请公布号 CN101303969B 申请公布日期 2012.08.15
申请号 CN200810097038.X 申请日期 2008.05.12
申请人 索尼株式会社 发明人 月原浩一
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I;B23K26/06(2006.01)I;G02B26/10(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 彭久云
主权项 一种使用从半导体激光器发射的光束照射照射目标的照射设备,其中令w为用于照射所述照射目标的光束半径,Δ为所述半导体激光器的发散角度的个体差异率,而λ为所述半导体激光器的光束波长,夹置在所述半导体激光器与所述照射目标之间的照射光学系统的焦点位置被散焦,使得所述照射目标夹置在所述照射光学系统和所述焦点位置之间,所述焦点位置和所述照射目标之间的距离z为公式1: <mrow> <mi>z</mi> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mi>&pi;</mi> <mo>&CenterDot;</mo> <msup> <mi>w</mi> <mn>2</mn> </msup> </mrow> <mi>&lambda;</mi> </mfrac> <mo>&CenterDot;</mo> <mfrac> <mrow> <mn>1</mn> <mo>-</mo> <msup> <mi>&Delta;</mi> <mn>2</mn> </msup> </mrow> <mrow> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>-</mo> <msup> <mi>&Delta;</mi> <mn>2</mn> </msup> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <mo>+</mo> <mn>1</mn> </mrow> </mfrac> <mo>.</mo> </mrow>
地址 日本东京都