半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。配置在硅基板(1)的pMIS区域(Rp)的p型MIS晶体管(Qp)，其具有经由由第一绝缘膜(z1)和第一高电介体膜(hk1)构成的pMIS用栅极绝缘膜(GIp)而形成的pMIS用栅电极(GEp)，配置在nMIS区域(Rn)的n型MIS晶体管(Qn)具有经由由第一绝缘膜(z1)和第二高电介体膜(hk2)构成的nMIS用栅极绝缘膜(GIn)而形成的nMIS用栅电极(GEn)。第一高电介体膜(hk1)由以铪和氧为主体并包含铝、钛或钽的绝缘膜构成。另外，第二高电介体膜(hk2)由以铪、硅以及氧为主体并包含Ia族、IIa族或IIIa族中的某种元素的绝缘膜构成。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，在半导体基板的第一区域具有p沟道型场效应晶体管，在上述半导体基板的第二区域具有n沟道型场效应晶体管，上述p沟道型场效应晶体管具有经由形成于上述半导体基板上的第一栅极绝缘膜形成的第一栅电极，上述第一栅极绝缘膜具有在上述半导体基板上依次形成的第一绝缘膜和第一高电介体膜，上述第一高电介体膜由以铪和氧为主体，并且含铝、钛或钽的绝缘膜构成，上述n沟道型场效应晶体管具有经由形成在上述半导体基板上的第二栅极绝缘膜而形成的第二栅电极，上述第二栅极绝缘膜具有在上述半导体基板上依次形成的上述第一绝缘膜和第二高电介体膜，上述第二高电介体膜由以铪、硅以及氧为主体，并且含Ia族、IIa族或IIIa族中的某种元素的绝缘膜构成。