多层金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法

摘要

本发明公开一种多层金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，在硅衬底上进行，包括循环执行如下步骤：步骤1，制作多层绝缘体，所述多层绝缘体包括若干层高K值氧化硅薄膜，两相邻高K值氧化硅之间夹有一层高K值氮化硅薄膜；步骤2，刻蚀去除部分所述多层绝缘体；步骤3，沉淀低k值介质层覆盖所述步骤2中剩余的部分所述多层绝缘体；步骤4，化学机械研磨所述低k值介质层上表面；步骤5，在位于所述多层绝缘体竖直上方的低k值介质层中制作通孔，所述通孔底端接触所述多层绝缘体的上表面，在所述低k值介质层与所述多层绝缘体在竖直方向上无重叠的区域制作金属槽；步骤6，在所述通孔和金属槽中填充金属后进行化学机械研磨。以改善电容器性能。

主权项

一种多层金属‑多层绝缘体‑金属电容器的制作方法，在硅衬底上进行，其特征在于，包括循环执行如下步骤：步骤1，制作多层绝缘体，所述多层绝缘体包括若干层高K值氧化硅薄膜，两相邻高K值氧化硅薄膜之间夹有一层高K值氮化硅薄膜；步骤2，刻蚀去除部分所述多层绝缘体；步骤3，沉淀低k值介质层覆盖所述步骤2中剩余的部分所述多层绝缘体；步骤4，化学机械研磨所述低k值介质层上表面；步骤5，在位于所述多层绝缘体竖直上方的低k值介质层中制作通孔，所述通孔底端接触所述多层绝缘体的上表面，在所述低k值介质层与所述多层绝缘体在竖直方向上无重叠的区域制作金属槽；步骤6，在所述通孔和金属槽中填充金属后进行化学机械研磨。