| 发明名称 | 化合物半导体器件、制造器件的方法和电气器件 | ||
| 摘要 | 提供一种化合物半导体器件、制造所述器件的方法以及电气器件，所述化合物半导体器件包括：化合物半导体多层结构；所述化合物半导体多层结构上的栅极绝缘膜；以及栅电极，其中所述栅电极包括所述栅极绝缘膜上的栅极基部和栅极伞部，并且所述栅极伞部的表面包括与所述化合物半导体多层结构的肖特基接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102637721A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210020479.6 | 申请日期 | 2012.01.29 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 仓桥菜绪子 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体多层结构；在所述化合物半导体多层结构上的栅极绝缘膜；和栅电极，其中所述栅电极包括所述栅极绝缘膜上的栅极基部和栅极伞部，并且所述栅极伞部的表面包括与所述化合物半导体多层结构的肖特基接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||