| 发明名称 | 用于半导体器件封装的钝化层 | ||
| 摘要 | 用于半导体器件封装的钝化层。一种防止半导体器件上铜层或铜焊盘的表面氧化的方法。通过利用等离子移除氧化层来清洁所述层或焊盘的表面。使用等离子增强沉积工艺在所述层的清洁表面上形成聚合物层，以防止所述层的清洁表面暴露于氧化气体。 | ||
| 申请公布号 | CN102637578A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210029463.1 | 申请日期 | 2012.02.10 |
| 申请人 | 诺信公司 | 发明人 | 大卫·基廷·富特;詹姆斯·唐纳德·格蒂 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 梁晓广;关兆辉 |
| 主权项 | 一种保护半导体器件的铜层的方法，包括：通过利用等离子移除氧化层来清洁所述层的表面；以及使用等离子增强沉积工艺在所述层的清洁表面上形成聚合物层，以防止所述层的所述清洁表面暴露于氧化气体。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州 | ||