发明名称 使用焊料合金的半导体装置
摘要 本发明要解决的问题是提高锡(Sn)-锑(Sb)体系焊料合金的润湿性和焊接性能。使用焊料合金6将具有半导体芯片4的绝缘基片10上的导体图案3与散热板8相连接,所述焊料合金包含3-5重量%的锑(Sb)、不超过0.2重量%的锗(Ge)和余量的锡(Sn)。可用同类的焊料合金5将半导体芯片4和绝缘基片10上的半导体图案2连接。可用同类的焊料合金7将半导体芯片4和连线导体6连接。
申请公布号 CN102637662A 申请公布日期 2012.08.15
申请号 CN201210102888.0 申请日期 2006.02.28
申请人 富士电机株式会社 发明人 両角朗;征矢野伸;高桥良和
分类号 H01L23/488(2006.01)I;C22C13/02(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;B23K35/26(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 江磊
主权项 一种使用焊料合金的半导体装置,该装置包括:在其两个表面上都具有导体图案的绝缘基片,与所述绝缘基片前表面上的导体图案相连的半导体芯片,与绝缘基片背面上的导体图案相连的散热板,用焊料合金对绝缘基片背面上的导体图案和散热板进行焊接,所述焊料合金包含3‑5重量%的锑、0.01‑0.05重量%的锗和余量的锡;所述绝缘基片是主要由氧化铝、氮化铝或氮化硅组成的陶瓷基片,在基片的两个表面上都具有铜图案,所述散热板由铜制成。
地址 日本神奈川县