发明名称 |
一种提高光提取效率发光二极管的制作方法 |
摘要 |
一种提高光提取效率发光二极管的制作方法,涉及光电技术领域。本发明的步骤为:<img file="dest_path_image002.GIF" wi="16" he="24" />在蓝宝石衬底上生长的氮化镓材料的表面用光刻定义并刻蚀出N型氮化镓区域;<img file="dest_path_image004.GIF" wi="16" he="24" />在氮化镓材料上表面用电子束蒸发方法蒸镀具有自然粗化性质的ITO薄膜;<img file="dest_path_image006.GIF" wi="16" he="24" />用光刻和湿法刻蚀的方法定义出ITO电流传导区域;<img file="dest_path_image008.GIF" wi="16" he="24" />用等离子化学气相沉积的方法在器件表面覆盖SiO<sub>2</sub>保护层;<img file="dest_path_image010.GIF" wi="16" he="24" />用光刻和湿法刻蚀的方法定义电极位置;<img file="dest_path_image012.GIF" wi="16" he="24" />用电子束蒸发的方法蒸镀P型和N型电极。本发明利用自然粗化ITO薄膜对光的散射性质,可以增加光子出射几率,解决由于折射率差引起的全反射损耗的问题,实现提高光提取效率的目的,从而提升芯片的质量和性能。 |
申请公布号 |
CN102637782A |
申请公布日期 |
2012.08.15 |
申请号 |
CN201110037372.8 |
申请日期 |
2011.02.14 |
申请人 |
同方光电科技有限公司 |
发明人 |
张雪亮;王立彬 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1. 一种提高光提取效率发光二极管的制作方法,它包括如下步骤:<img file="DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="16" he="24" />在蓝宝石衬底上生长的氮化镓材料(1)的表面用光刻定义并刻蚀出N型氮化镓区域(2);<img file="DEST_PATH_IMAGE004.GIF" wi="16" he="24" />在氮化镓材料(1)上表面用电子束蒸发方法蒸镀具有自然粗化性质的ITO薄膜(3);<img file="DEST_PATH_IMAGE006.GIF" wi="16" he="24" />用光刻和湿法刻蚀的方法定义出ITO电流传导区域(4);<img file="DEST_PATH_IMAGE008.GIF" wi="16" he="24" />用等离子化学气相沉积的方法在器件表面覆盖SiO<sub>2</sub>保护层(5);<img file="DEST_PATH_IMAGE010.GIF" wi="16" he="24" />用光刻和湿法刻蚀的方法定义电极位置(6);<img file="DEST_PATH_IMAGE012.GIF" wi="16" he="24" />用电子束蒸发的方法蒸镀P型和N型的电极(7)。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座2901 |