| 发明名称 | 高压多栅极元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种高压多栅极元件及其制造方法。该高压多栅极元件包含：具有第一导电型杂质掺杂的半导体鳍板；覆盖部分半导体鳍板侧壁的介电层；覆盖该介电层的栅极；形成于该半导体鳍板中或与该半导体鳍板耦接的漏极，其具有第二导电型杂质掺杂；形成于该半导体鳍板中或与该半导体鳍板耦接的源极，其具有第二导电型杂质掺杂，且源极与漏极位于栅极的不同侧；以及具有第二导电型杂质掺杂的漂移区或井区，形成于半导体鳍板中，分隔并耦接于该漏极与栅极之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102637738A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201110038134.9 | 申请日期 | 2011.02.11 |
| 申请人 | 立锜科技股份有限公司 | 发明人 | 黄宗义;邱建维 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种高压多栅极元件，其特征在于，包含：一半导体鳍板，其具有第一导电型杂质掺杂；一介电层，覆盖部分该半导体鳍板侧壁；一栅极，覆盖该介电层；一漏极，形成于该半导体鳍板中或与该半导体鳍板耦接，其具有第二导电型杂质掺杂；一源极，形成于该半导体鳍板中或与该半导体鳍板耦接，其具有第二导电型杂质掺杂，且该源极与漏极位于该栅极的不同侧；以及一具有第二导电型杂质掺杂的漂移区或井区，形成于该半导体鳍板中，分隔并耦接于该漏极与栅极之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县竹北市 | ||