发明名称 |
基于自旋滤波器效应的自旋晶体管和利用自旋晶体管的非易失存储器 |
摘要 |
一种自旋晶体管包括自旋注入器和自旋分析器,所述自旋注入器用于把载流子作为热载流子从第一非磁性电极注入第二非磁性电极层,所述载流子的自旋平行于构成第一铁磁阻挡层的能带边缘的自旋能带,所述自旋分析器用于通过第二铁磁阻挡层的能带边缘上的自旋分裂,当注入第二非磁性电极的自旋偏振热载流子的自旋方向平行于第二铁磁阻挡层的能带边缘上的自旋能带的自旋方向时,把热载流子导通到第三非磁性电极,并且当所述自旋偏振热载流子的自旋方向与注入所述第二磁性电极的自旋方向反平行时,不把所述热载流子导通到第三非磁性电极。还提供一种利用所述自旋晶体管的存储装置。 |
申请公布号 |
CN101202302B |
申请公布日期 |
2012.08.15 |
申请号 |
CN200710169692.2 |
申请日期 |
2003.07.25 |
申请人 |
科学技术振兴机构 |
发明人 |
菅原聪;田中雅明 |
分类号 |
H01L29/66(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/66(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
曾祥夌;刘宗杰 |
主权项 |
一种晶体管,包括:自旋注入器,通过自旋滤波效应注入自旋偏振热载流子,以及自旋分析器,选择所述所注入自旋偏振热载流子,其中,所述自旋注入器具有:第一铁磁阻挡层,能够通过在其两端施加电压而使热载流子通过隧道;第一非磁性电极层,与所述第一铁磁阻挡层的一个端面结合;以及第二非磁性电极层,与所述第一铁磁阻挡层的另一个端面结合。 |
地址 |
日本埼玉县 |