化学机械研磨方法

摘要

本发明揭露了一种化学机械研磨方法，用以在包括一个以上研磨站的CMP系统中研磨晶片表面的金属层。该方法包括：于第一研磨站，以第一研磨速率对上述金属层进行第一次研磨处理；于第一研磨站，以第二研磨速率对上述金属层进行第二次研磨处理，其中于该第一研磨站共去除半数以上的金属层；于第二研磨站，以第三研磨速率对金属层进行第三次研磨处理，以去除剩余金属层，其中第二研磨速率与第三研磨速率小于第一研磨速率。其在第一研磨站中增加了对晶片进行低速率研磨处理的过程，以分担第二研磨站的低速率研磨处理任务，减少晶片在第二研磨站所需的时间，进而平衡第一与第二研磨站的研磨时间，减少第一研磨站的闲置时间，提高了CMP的效率。

主权项

一种化学机械研磨方法，用以在包括一个以上研磨站的化学机械研磨系统中研磨晶片表面的金属层，其特征是，包括：于第一研磨站，以第一研磨速率对上述金属层进行第一次研磨处理；于第一研磨站，以第二研磨速率对上述金属层进行第二次研磨处理，其中于该第一研磨站共去除70％‑90％的上述金属层，且在该第一研磨站去除的金属层中，以第一研磨速率去除60％‑90％，以第二研磨速率去除40％‑10％；于第二研磨站，以第三研磨速率对上述金属层进行第三次研磨处理，以去除剩余金属层，其中第二研磨速率与第三研磨速率小于第一研磨速率。