用于处理倒角边缘的方法和装置

摘要

提供了用于处理倒角边缘的方法和装置。将衬底放置在倒角处理腔室中，利用约束在倒角处理腔室的周边区域中的钝化等离子体，在所述衬底上仅在所述衬底的倒角区域周围形成钝化层。衬底可经受后续半导体工艺制程，在所述后续半导体工艺制程期间所述衬底的倒角边缘区域受所述钝化层保护。可选地，可利用形成在处理腔室的外周边区域中的图案化等离子体使钝化层图案化，通过增强等离子体约束来约束图案化等离子体。去除倒角区域的外边缘部上的钝化层，而仍保持倒角区域的内部上的钝化层。可利用图案化的钝化层作为保护掩膜来清洁衬底的倒角边缘。

主权项

一种处理衬底的方法，包括：将衬底放置在倒角处理腔室中；提供约束在所述倒角处理腔室的周边区域中的钝化等离子体；利用所述钝化等离子体仅在所述衬底的倒角区域周围在所述衬底上形成钝化层；以及停止所述钝化等离子体。