| 发明名称 | 半导体器件及相关制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件结构及相关制作方法。一种示例性的半导体器件结构(100)包括沟槽栅极结构(114)，与沟槽栅极结构(114)相邻的半导体材料的体区(124)，与位于体区(124)之下的沟槽栅极结构(114)相邻的漏区(125)，形成于体区(124)内的源区(130)，以及覆盖在体区(124)的第一部分上的横向栅极结构(118)。体区(124)的第一部分被布置于沟槽栅极结构(114)与源区(130)之间。在一种实施例中，角部区(128)被形成于与沟槽栅极结构(114)相邻的体区(124)内，使得体区(124)的第一部分被布置于角部区与源区(130)之间，以及与沟槽栅极结构(114)相邻的体区(124)的第二部分被布置于角部区(128)与漏区(125)之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102637722A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210028857.5 | 申请日期 | 2012.02.10 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 王培林;陈菁菁;E·D·德弗莱萨特 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种半导体器件结构，包括：沟槽栅极结构；与所述沟槽栅极结构相邻的半导体材料的体区，所述体区具有第一导电类型；具有第二导电类型的半导体材料的漏区，所述漏区与位于所述体区之下的所述沟槽栅极结构相邻；具有所述第二导电类型的形成于所述体区内的半导体材料的源区，其中所述体区的第一部分被布置于所述沟槽栅极结构与所述源区之间；以及覆盖在所述体区的所述第一部分上的横向栅极结构。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||