半导体结构及其制备方法

摘要

半导体结构及其制备方法，属于半导体器件领域，包括：具有第一半导体类型的半导体衬底；覆盖半导体衬底表面的外延层；位于外延层内的具有第二半导体类型的第一扩散区；在第一扩散区表面的氧化层，且其表面与外延层表面基本持平；位于外延层表面的多晶硅层，且覆盖部分氧化层表面、部分外延层表面及暴露出的所述第一扩散区表面；以及位于暴露出的氧化层表面、暴露出的外延层表面与多晶硅层表面的绝缘层。通过使用RESURF技术，在半导体结构中设置低掺杂的第一掺杂区，当PN结反偏时，RESURF技术使PN结能均匀承压。此外，较厚的氧化层也能有效提高PN结的击穿电压。同时，本发明中提出的半导体结构，结构简单，工艺简便。

主权项

一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有第一半导体类型掺杂；第一半导体类型掺杂的外延层，位于所述半导体衬底表面；其特征在于，还包括：第一扩散区，具有第二半导体类型掺杂，位于所述外延层内；氧化层，位于在所述第一扩散区内，且其表面与所述外延层表面基本持平；多晶硅层，覆盖部分所述氧化层表面、部分所述外延层表面及暴露出的所述第一扩散区表面；以及绝缘层，覆盖暴露出的所述氧化层表面、暴露出的所述外延层表面与所述多晶硅层表面。