一种孔缝双桥式加速度传感器芯片及其制备方法

摘要

一种孔缝双桥式加速度传感器芯片及其制备方法，芯片包括硅基底和键合于硅基底背面的玻璃衬底，硅基底的中心空腔内配置有质量块，四个开孔敏感梁的一端与质量块的四个边角连接，另一端与硅基底连接，每个开孔敏感梁设有一个应力集中孔，每个应力集中孔两侧布置两根压敏电阻条并组成一个压敏电阻，四个压敏电阻通过金属引线相连并构成半开环的惠斯通全桥电路，四个压敏电阻同时和五个金属焊盘连接，其制备方法是通过硅各项异性湿法刻蚀以及ICP等离子刻蚀得到硅基底中的质量块和开孔敏感梁，采用钛-铂-金多层引线技术制作金属引线，芯片能够提高传感器的静态和动态灵敏度，具有体积小，重量小，高频响和高灵敏度的优点。

主权项

1.一种孔缝双桥式加速度传感器芯片，包括硅基底(1)和键合于硅基底(1)背面的玻璃衬底(2)，硅基底(1)的中心空腔内配置有质量块(4)，其特征在于：四个开孔敏感梁(3)的一端与质量块(4)的四个边角连接，另一端与硅基底(1)连接，每个开孔敏感梁(3)的中央设有一个应力集中孔(8)，每个应力集中孔(8)两侧布置两根压敏电阻条，两根压敏电阻条组成一个压敏电阻(5)，四个压敏电阻(5)通过第一金属引线(6)相连并构成半开环的惠斯通全桥电路，四个压敏电阻(5)同时通过第二金属引线(9)和五个金属焊盘(7)连接，应力集中孔(8)的深度和开孔敏感梁(3)的厚度相同；所述的开孔敏感梁(3)采用n型(100)晶面硅片；所述的四个压敏电阻(5)在开孔敏感梁(3)上均沿着[110]或[]晶向布置。